RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link