RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
99
Около 76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
99
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1358
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link