RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905624-023.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2707
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link