RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905700-013.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2074
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link