RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905700-017.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2790
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link