RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905702-019.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
87
Около 72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
87
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1849
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link