RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905702-020.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
80
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
80
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1698
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link