RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905712-035.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2461
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link