RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905713-019.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3332
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link