RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905734-073.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3182
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link