RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905743-044.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3329
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link