RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-011.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link