RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-024.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2836
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link