RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-027.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3168
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link