RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-027.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3168
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965434-071.A00LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link