RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-062.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около 57% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
56
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link