RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965589-013.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2278
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link