RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965596-035.B00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
7.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
7.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link