RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965600-011.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2239
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link