RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965669-009.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link