RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965669-009.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link