RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965690-002.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 23 29 37 38
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1859
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link