RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link