RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
75
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1556
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link