RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2325
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link