RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3099
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link