RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2406
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5471-021.A00LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link