RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link