RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2071
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link