RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2071
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link