RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link