RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link