RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2665
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link