RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3086
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link