RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2324
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link