RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link