RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link