RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link