RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3059
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link