RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3292
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link