RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link