RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KCDT82-MIE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2302
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KCDT82-MIE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link