RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3544
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link