RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3391
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link