RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link