RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KH280C14D4/8X 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 31 32 33 34 35 36 37
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link