RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3123
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 99P5471-021.A00LF 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link