RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2666C16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3282
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link