RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3093
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link