RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 8 13 18 23 29 34 35 36 37 38
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2996
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston 99U5582-008.A00G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link