RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link