RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link