RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3664
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre 0000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link