RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2950
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link