RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link